如何測(cè)量WBG半導(dǎo)體的柵極和源極間之間的電壓？

本英文文章重點(diǎn)介紹如何使用IsoVu差分探頭測(cè)量寬帶隙半導(dǎo)體（Wide Bandgap Semiconductors）的柵極和源極間之間的高極電壓（Vgs）。測(cè)量重點(diǎn)描述是一個(gè)帶高極和低極開關(guān)的eGaN FETs半橋結(jié)構(gòu)。而且本文重點(diǎn)講述高邊柵極的測(cè)量，也檢測(cè)低邊柵極。

文中主要講述下列狀態(tài)事件的測(cè)量： 1、高邊柵極開；2、高邊柵極關(guān)/低邊柵極開。

總之，像進(jìn)行高邊柵極電壓精確測(cè)量是比較困難的，此時(shí)，您需要一個(gè)結(jié)合高帶寬、高共模電壓和高共模抑制為一起的測(cè)量系統(tǒng)。由于泰克IsoVu差分探頭系統(tǒng)完全電隔離，且提供1GHz帶寬、2000V共模電壓和100萬:1（120dB）的共模抑制比，這些特性使這些測(cè)量不再困難。

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